زمان تقریبی مطالعه: 2 دقیقه
در الکترونیک برای ساخت تقویتکننده از روشهای مختلفی استفاده میشود که از جملهٔ آنها استفاده از ترانزیستور BJT است، که خود شامل شیوههای مختلفی برای اتصال ورودی و خروجی به سه سر ترانزیستور است. یکی از این روشها، روش اتصال بیس مشترک است.
یک مدار سادۀ ترانزیستوری که در آن یک ترانزیستور npn به صورت اتصال بیس مشترک بسته شدهاست.(جزئیات بایاس نشان داده نشدهاند.)
از این نوع اتصال عموماً برای تقویت ولتاژ یا تقویتکننده میانگیر جریان استفاده میشود.
مشخصات
تعریف مقدار مقدار تقریبی شرایط تقریب
بهره ولتاژ مدار باز
A
v
=
v
o
v
i
|
R
L
=
∞
{\displaystyle {A_{v}}={\begin{matrix}{v_{\mathrm {o} } \over v_{\mathrm {i} }}\end{matrix}}{\Big |}_{R_{L}=\infty }}
(
g
m
r
o
+
1
)
R
C
R
C
+
r
o
{\displaystyle {\begin{matrix}{\frac {(g_{m}r_{\mathrm {o} }+1)R_{C}}{R_{C}+r_{o}}}\end{matrix}}}
g
m
R
C
{\displaystyle {\begin{matrix}g_{m}R_{C}\end{matrix}}}
r
o
≫
R
C
{\displaystyle r_{o}\gg R_{C}}
بهره جریان اتصال کوتاه
A
i
=
i
o
i
i
|
R
L
=
0
{\displaystyle A_{i}={\begin{matrix}{i_{\mathrm {o} } \over i_{\mathrm {i} }}\end{matrix}}{\Big |}_{R_{L}=0}}
r
π
+
β
r
o
r
π
+
(
β
+
1
)
r
o
{\displaystyle {\begin{matrix}{\frac {r_{\pi }+\beta r_{o}}{r_{\pi }+(\beta +1)r_{o}}}\end{matrix}}{\begin{matrix}\end{matrix}}}
1
{\displaystyle 1}
β
≫
1
{\displaystyle \beta \gg 1}
مقاومت ورودی
R
i
n
=
v
i
i
i
{\displaystyle R_{\mathrm {in} }={\begin{matrix}{\frac {v_{i}}{i_{i}}}\end{matrix}}}
(
r
o
+
R
C
‖
R
L
)
r
E
r
o
+
r
E
+
R
C
‖
R
L
β
+
1
{\displaystyle {\begin{matrix}{\frac {(r_{o}+R_{C}\|R_{L})r_{E}}{r_{o}+r_{E}+{\frac {R_{C}\|R_{L}}{\beta +1}}}}\end{matrix}}}
r
E
(
≈
1
g
m
)
{\displaystyle r_{E}\left(\approx {\frac {1}{g_{m}}}\right)}
r
o
≫
R
C
‖
R
L
(
β
≫
1
)
{\displaystyle r_{o}\gg R_{C}\|R_{L}\ \ \left(\beta \gg 1\right)}
مقاومت خروجی
R
o
u
t
=
v
o
−
i
o
|
v
s
=
0
{\displaystyle R_{\mathrm {out} }={\begin{matrix}{\frac {v_{o}}{-i_{o}}}\end{matrix}}{\Big |}_{v_{s}=0}}
R
C
‖
{
[
1
+
g
m
(
r
π
‖
R
S
)
]
r
o
+
(
r
π
‖
R
S
)
}
{\displaystyle R_{C}\|\{[1+g_{m}(r_{\pi }\|R_{S})]r_{o}+(r_{\pi }\|R_{S})\}}
R
C
|
|
r
o
{\displaystyle R_{C}||r_{o}}
R
C
|
|
[
(
r
π
|
|
R
S
)
(
1
+
g
m
r
o
)
]
{\displaystyle R_{C}||\left[(r_{\pi }||R_{S})(1+g_{m}r_{o})\right]}
R
S
≪
r
E
{\displaystyle \ \ R_{S}\ll r_{E}}
R
S
≫
r
E
{\displaystyle \ \ R_{S}\gg r_{E}}
البته باید توجه داشت که این مشخصات در محدودۀ خاصی از فرکانس سیگنال برقرار است.
جستارهای وابسته
منابع
Razavi، Behzad. Fundamentals of Microelectronics . Sedra-Smith. Microelectronic Circuits .
پیوند به بیرون
