حساب کاربری
​
زمان تقریبی مطالعه: 1 دقیقه
لینک کوتاه

اتصال درین مشترک

در الکترونیک روش‌های مختلفی برای اتصال ترانزیستور پیوندی اثر میدان وجود دارد که یکی از مرسوم‌ترین آنها، اتصال درین مشترک یا سورس پیرو است.

یک مدار سادهٔ درین مشترک با استفاده از ترانزیستور JFET(جزئیات بایاسینگ در شکل نشان داده نشده‌اند.)

مشخصات

مشخصات سیگنال کوچک این نوع اتصال به صورت زیر است:

تعریفمقدارمقدار تقریبیشرایط تقریب
بهره جریان A i = i o u t i i n {\displaystyle {A_{\mathrm {i} }}={i_{\mathrm {out} } \over i_{\mathrm {in} }}}
∞   {\displaystyle \infty \ }
∞   {\displaystyle \infty \ }
بهره ولتاژ A v = v o u t v i n {\displaystyle {A_{\mathrm {v} }}={v_{\mathrm {out} } \over v_{\mathrm {in} }}}
g m R S g m R S + 1 {\displaystyle {\frac {g_{m}R_{\text{S}}}{g_{m}R_{\text{S}}+1}}}
≈ 1 {\displaystyle \approx 1}
( g m R S ≫ 1 ) {\displaystyle (g_{m}R_{\text{S}}\gg 1)}
مقاومت ورودی r i n = v i n i i n {\displaystyle r_{\mathrm {in} }={\frac {v_{in}}{i_{in}}}}
∞   {\displaystyle \infty \ }
∞   {\displaystyle \infty \ }
مقاومت خروجی r o u t = v o u t i o u t {\displaystyle r_{\mathrm {out} }={\frac {v_{out}}{i_{out}}}}
R S ‖ 1 g m = R S g m R S + 1 {\displaystyle R_{\text{S}}\|{\frac {1}{g_{m}}}={\frac {R_{\text{S}}}{g_{m}R_{\text{S}}+1}}}
≈ 1 g m {\displaystyle \approx {\frac {1}{g_{m}}}}
( g m R S ≫ 1 ) {\displaystyle (g_{m}R_{S}\gg 1)}

جستارهای وابسته

  • اتصال امیتر مشترک
  • اتصال بیس مشترک
  • اتصال کلکتور مشترک
  • اتصال سورس مشترک
  • اتصال گیت مشترک
  • ترانزیستور اثرمیدانی
  • ترانزیستور BJT

منابع

  1. ↑ Common Drain Amplifier or Source Follower بایگانی‌شده در ۲۸ دسامبر ۲۰۱۳ توسط Wayback Machine—Circuit analysis, low frequency, high frequency, and impedance calculations.
  • Razavi، Behzad. Fundamentals of Microelectronics.
  • Sedra-Smith. Microelectronic Circuits.
آخرین نظرات
کلیه حقوق این تارنما متعلق به فرا دانشنامه ویکی بین است.