اتصال امیتر مشترک

در الکترونیک برای ساخت تقویت کننده از روش‌های مختلفی استفاده می‌شود که از جملهٔ آنها استفاده از ترانزیستور BJT است، که خود شامل شیوه‌های مختلفی برای اتصال ورودی و خروجی به سه سر ترانزیستور است. یکی از این روش‌ها، روش اتصال امیتر مشترک است.

یک ترانزیستور NPN که به صورت اتصال امیتر مشترک بسته شده است.

یک ترانزیستور NPN که به صورت اتصال امیتر مشترک با مقاومت امیتر بسته شده است.

بهره

بهرهٔ این نوع ترانزیستور منفی است و از رابطهٔ زیر محاسبه می‌شود:

A_{\text{v}}\triangleq {\frac {v_{\text{out}}}{v_{\text{in}}}}={\frac {-g_{m}R_{\text{C}}}{g_{m}R_{\text{E}}+1}}\approx -{\frac {R_{\text{C}}}{R_{\text{E}}}}\qquad ({\text{where}}\quad g_{m}R_{\text{E}}\gg 1).\,

مقاومت ورودی و خروجی

مقاومت دیده شده از ورودی به شکل زیر خواهد بود:

r_{\pi }+(\beta +1)R_{\text{E}}\,

مقاومت دیده شده از خروجی، $r_{\mathrm {o} }$

موازی با

R_{\mathrm {c} }

است که با توجه به بزرگ بودن مقدار

r_{\mathrm {o} }

، می‌توان با تقریب مقاومت خروجی را

R_{\mathrm {c} }

در نظر گرفت.

مشخصات

	تعریف	مقدار (با مقاومت در امیتر)	مقدار (بدون مقاومت امیتر، یعنی R_E = ۰)
بهره جریان	$A_{\text{i}}\triangleq {\frac {i_{\text{out}}}{i_{\text{in}}}}\,$	$\beta \,$	$\beta$
بهره ولتاژ	$A_{\text{v}}\triangleq {\frac {v_{\text{out}}}{v_{\text{in}}}}\,$	${\begin{matrix}-{\frac {\beta R_{\text{C}}}{r_{\pi }+(\beta +1)R_{\text{E}}}}\end{matrix}}\,$	$\approx -g_{m}R_{\text{C}}$
مقاومت ورودی	$r_{\text{in}}\triangleq {\frac {v_{\text{in}}}{i_{\text{in}}}}\,$	$r_{\pi }+(\beta +1)R_{\text{E}}\,$	$r_{\pi }$
مقاومت خروجی	$r_{\text{out}}\triangleq {\frac {v_{\text{out}}}{i_{\text{out}}}}\,$	$R_{\text{C}}\,$	$R_{\text{C}}$

مدل سیگنال کوچک

در الکترونیک معمولاً این نوع مدارها را به دو شیوه تحلیل و بررسی می‌کنند:

سیگنال بزرگ (تحلیل بایاس یا DC)
سیگنال کوچک (تحلیل ac)

کاربرد عملی

یک تقویت کننده امیتر مشترک که خروجی آن به صورت تک سر گرفته شده است.

جستارهای وابسته

منابع

Razavi، Behzad. Fundamentals of Microelectronics.
Sedra-Smith. Microelectronic Circuits.